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中芯国际12nm工艺开发获突破：功耗减少20%

，性能提高10%

2月16日消息 本月14日中芯国际发布2018年Q4财报，财报显示，2018年第四季度，中芯国际营收为7.88亿美元，同比持平，但较上季度减少7.4%;毛利润1.34亿美元，同比下降9.7%，经营亏损4093万美元，净利润为2652万美元，同比减少44.4%。

中芯国际联席CEO梁孟松在财报中表示，中芯国际第一代FinFET 14nm工艺已经进入客户验证阶段，产品可靠度与良率进一步提升，同时12nm工艺开发也取得突破。

现据第一财经报道，在2月15日举行的财报说明会上，梁孟松指出，营收环比下降是由于季节性因素以及需求疲软。并且梁孟松更新了中芯国际在先进工艺上的最新进展。他指出，14nm第一版的工艺设计包已经送出，良率已经得到改善。与14nm相比，12nm工艺的产品功耗减少20%，性能提高10%，面积减少20%。

联席CEO赵海军指出，2019年14nm将进入量产，同时也在攻坚12nm，客户可以根据产品选择不同的工艺。赵海军还表示，整体经济环境和行业需求的不确定性已经渗透到该公司及其客户，2019年第一季度对于行业和中芯国际的大部分业务来说都非常有挑战。

按工艺划分，中芯国际的主要收入来源仍然来自40/45nm和55/65nm，分别占四季度总营收的20.3%和23.0%，28nm只占其四季度收入的5.4%。这与行业领军企业台积电相比还有较大差距，在台积电1月中旬发布的2018年四季度财报中，先进制程7nm和16/20nm半导体出货占第四季度晶圆销售额比重分别为23%和21%，28nm占17%。

梁孟松指出：我们努力建立先进工艺全方位的解决方案，特别专注在FinFET技术的基础打造，平台的开展，以及客户关系的搭建。研发积极创新，优化产线，强化设计，争取潜在市场，我们对于未来的机会深具信心。

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